mos管的工作取决于MOS电容,它是源极和漏极之间的氧化层下方的半导体表面。只需分别施加正栅极电压或负栅极电压,即可将其从 p 型反转为 n 型。
mos管的主要原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它的工作原理几乎就像一个开关,设备的功能基于 MOS 电容。MOS电容是MOS管的的主要部分。 当漏源电压(VDS)连接在漏极和源极之间时,正电压施加到漏极,负电压施加到源极。在这里,漏极的 PN 结是反向偏置的,而源极的 PN 结是正向偏置的。
mos管的工作取决于MOS电容,它是源极和漏极之间的氧化层下方的半导体表面。只需分别施加正栅极电压或负栅极电压,即可将其从 p 型反转为 n 型。
mos管的主要原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它的工作原理几乎就像一个开关,设备的功能基于 MOS 电容。MOS电容是MOS管的的主要部分。 当漏源电压(VDS)连接在漏极和源极之间时,正电压施加到漏极,负电压施加到源极。在这里,漏极的 PN 结是反向偏置的,而源极的 PN 结是正向偏置的。