芯片中的纳米指的是生产芯片的工艺制程,3纳米是指处理器的蚀刻尺寸。
3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说,相对于其5纳米芯片,初代3纳米芯片可减少45%的能耗,提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗,提升30%的性能并减少35%的面积。
芯片中的纳米指的是生产芯片的工艺制程,3纳米是指处理器的蚀刻尺寸。
3纳米芯片基于全环绕栅级(Gate-All-Around)技术。三星电子说,相对于其5纳米芯片,初代3纳米芯片可减少45%的能耗,提升23%的性能并减少16%的面积。全环绕栅级技术可最终减少多达50%的能耗,提升30%的性能并减少35%的面积。