你好，动态存储器和静态存储器是两种不同类型的半导体存储器，它们的区别如下：
1. 工作原理不同：动态存储器（DRAM）的存储单元由一个电容和一个晶体管组成，电容存储数据，晶体管用于控制电容的读写；静态存储器（SRAM）的存储单元由几个晶体管构成，存储数据的是晶体管之间的互相连接状态。
2. 存储数据的方式不同：动态存储器需要不断刷新电容，以保持存储的数据不失真，而静态存储器则不需要刷新，因为它的存储单元是基于晶体管的互相连接状态来存储数据的。
3. 访问速度不同：静态存储器比动态存储器更快，因为它的读写速度更快，而且不需要刷新，而动态存储器需要不断刷新电容，以保持存储的数据不失真，因此速度稍慢。
4. 功耗不同：静态存储器的功耗相对较低，因为它不需要刷新电容，而动态存储器需要刷新电容以保持数据的正确性，因此功耗较高。
5. 容量不同：动态存储器比静态存储器更适合用于高容量的存储，因为它的存储单元只需要一个电容和一个晶体管即可，而静态存储器需要多个晶体管组成一个存储单元，因此需要更多的晶体管来存储相同的数据。
