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igbt和mosfet的区别

igbt和mosfet的区别

更新时间:2023-05-21 04:14:11

igbt和mosfet的区别

MOSFET和IGBT内部结构不同,

决定了其应用领域的不同。

1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。

2. IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。

3. 就其应用,根据其特点:MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器,变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域 。

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