反铁磁的垂直界面耦合作用指利用磁性薄膜的矫顽力不同产生巨磁电阻效应的纳米磁性多层膜膺自旋阀结构,因其结构简单,不需要易腐蚀的强反铁磁性材料,因而作为磁随机存储器材料得到了广泛的研究。
在赝自旋阀结构中,两磁性层的层间耦合直接影响巨磁电阻效应,当磁性层材料与结构确定之后,中间层的厚度以及中间层与磁性层的结合状态将直接影响两磁性层之间的耦合效应。
因此,研究赝自旋阀结构中两磁性层之间的耦合效应随中间层厚度的变化规律,将有助于赝自旋阀的研制。
反铁磁的垂直界面耦合作用指利用磁性薄膜的矫顽力不同产生巨磁电阻效应的纳米磁性多层膜膺自旋阀结构,因其结构简单,不需要易腐蚀的强反铁磁性材料,因而作为磁随机存储器材料得到了广泛的研究。
在赝自旋阀结构中,两磁性层的层间耦合直接影响巨磁电阻效应,当磁性层材料与结构确定之后,中间层的厚度以及中间层与磁性层的结合状态将直接影响两磁性层之间的耦合效应。
因此,研究赝自旋阀结构中两磁性层之间的耦合效应随中间层厚度的变化规律,将有助于赝自旋阀的研制。