没有p6000,只有P60N06e场效应MOS管,它的参数:
PD最大耗散功率:150W
ID最大漏源电流:60A
V(BR)DSS漏源击穿电压:60V
RDS(ON)Ω内阻:0.016Ω
VRDS(ON)ld通态电流:30A
VRDS(ON)栅极电压:10V
VGS(th)V开启电压:2~4V
VGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
没有p6000,只有P60N06e场效应MOS管,它的参数:
PD最大耗散功率:150W
ID最大漏源电流:60A
V(BR)DSS漏源击穿电压:60V
RDS(ON)Ω内阻:0.016Ω
VRDS(ON)ld通态电流:30A
VRDS(ON)栅极电压:10V
VGS(th)V开启电压:2~4V
VGS(th)ld(μA)开启电流:250μA