双极性晶体管,全程双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),也就是我们常说的三极管。
在三极管器件的设计中,通常会在发射区进行N型高掺杂,以便在发射结正偏时从发射区注入基区的电子在基区形成相当高的电子浓度梯度。
基区设计的很薄,这样注入到基区的电子只有很少一部分与多子空穴复合形成基极电流。与基区电子复合的源源不断的空穴需要基极提供电流来维持。
在设计中对集电区则进行较低的P型掺杂且面积很大,以便基区高浓度的电子扩散进去集电区形成集电极电流。
双极性晶体管,全程双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),也就是我们常说的三极管。
在三极管器件的设计中,通常会在发射区进行N型高掺杂,以便在发射结正偏时从发射区注入基区的电子在基区形成相当高的电子浓度梯度。
基区设计的很薄,这样注入到基区的电子只有很少一部分与多子空穴复合形成基极电流。与基区电子复合的源源不断的空穴需要基极提供电流来维持。
在设计中对集电区则进行较低的P型掺杂且面积很大,以便基区高浓度的电子扩散进去集电区形成集电极电流。