tk40p03参数

tk40p03是硅N沟道场效应MOS管，在开关电压调节器、电机驱动器、电源管理开关中广泛应用。

tk40p03参数：

PD最大耗散功率：33W

ID最大漏源电流：40A

V(BR)DSS漏源击穿电压：30V

RDS(ON)Ω内阻：0.0144Ω

VRDS(ON)ld通态电流：20A

VRDS(ON)栅极电压：4.5V

VGS(th)V开启电压：1.3~2.3V

VGS(th)ld(μA)开启电流：100μA

封装: TO-252